RAM、ROM、FLASH、EEPORM、PSRAM各是什么及其区别


常见存储设备:

  1. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据
  2. EEPROM(电子可擦除可编程ROM),ROM的一种改进,可擦除重复使用,掉电数据不丢失
  3. FLASH存储器又称闪存,它结合了ROMRAM的长处,具有EEPROM(电子可擦除可编程)特点,掉电不丢失,可以快速读取数据,用于嵌入式系统存储程序,有些用FLASH部分扇区充当EEPROM(ESP8266)
  4. SRAM(静态RAM,Static RAM),速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,而且不需要刷新,但是它也非常昂贵,用作一级缓冲,二级缓冲
  5. DRAM(动态RAM,Dynamic RAM),DRAM保留数据的时间很短(电容存储,需要不断充电刷新),速度也比SRAM慢,比任何的ROM都要快,价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多
  6. SDRAM(同步动态随机存取存储器,Synchronous Dynamic RAM),应用于代码大,算法复杂,带操作系统的应用,SDRAM独立于MPU,可以根据应用的情况选择RAM的大小,一般外接用SDRAM,容量比较大,一般MB~GBDDRSDRAM的一种
  7. PSRAM(伪静态随机存储器,Pseudo static random access memory),内部的内存颗粒跟DRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要DRAM那样复杂的控制器和刷新机制,内部自带刷新机制。

PSRAM

特点:

  1. PSRAM对于要求有一定缓存容量的众多便携式产品是一个理想的选择;尤其是数据密集、突发存取、涉及数据算法(如FFT、DFT等等)的应用
  2. PSRAM既具有SRAM电路接口简洁的优点,又具备DRAM容量大的特点,同时将刷新电路集成进芯片内部,兼具SRAM的简单易用、DRAM的较大容量的优点;得到广大工程师与客户的支持与认可,并广泛使用;
  3. 传统PSRAM是平行接口的,需要消耗较多MCU/SoC的I/O管脚资源。IPUS推出了支持SPI/QSPI接口的串行PSRAM,为没有并行RAM扩展接口的MCU/SoC提供了内存扩展方式。

PSRAM与DRAM

  1. PSRAM采用的是自行刷新(Self-Refresh),不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据;而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此PSRAM具有更高的性能;
  2. PSRAM拥有比DRAM更简化的数据存取接口;

PSRAM与SRAM

  1. 与SRAM相比,PSRAM容量比SRAM大很多,体积更为轻巧;
  2. PSRAM价格比SRAM便宜很多,售价更具有竞争力;
  3. PSRAM的I/O接口协议与SRAM相同;

文章作者: MengXin
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